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高靈敏度中子ICCD相機
產(chǎn)品簡介:

高靈敏度中子ICCD相機采用LiF:ZnS:Ag閃爍體熒光屏,由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體,并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機。

產(chǎn)品型號:

更新時間:2025-11-08

廠商性質(zhì):代理商

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產(chǎn)品介紹
  • 高靈敏度中子ICCD  和中子sCMOS探測器

PSEL制冷型中子探測器系列采用LiF:ZnS:Ag閃爍體熒光屏,由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體,并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機。衍射和小角散射應用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體,并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機,可實現(xiàn)單量子探測功能。通過將多個相機拼接在一起可以實現(xiàn)更大區(qū)域的探測??熘凶酉盗胁粌H可以用于實驗室密封源研究,也可用于研究反應堆設施。

高靈敏度中子ICCD 主要特點:

  • 16-bit數(shù)字圖像實時采集
  • 單中子等效讀出噪聲
  • 可達20000:1的高動態(tài)范圍
  • 標準相機與計算機接口 
  • 芯片陣列可多路采集

高靈敏度中子ICCD 應用:

  •  中子成像/斷層掃描
  •  中子衍射
  •  小角中子散射
  •  蛋白質(zhì)晶體學
  •  中子反射

 

高靈敏度中子ICCD 技術指標:

參數(shù)

中子ICCD

中子sCMOS

閃爍體

LiF:ZnS:Ag

有效像元尺寸

200μm

105 μm

有效探測尺寸

20cm×26cm

43cm×43cm

幀速

0.6 fps

5 fps

動態(tài)范圍

>10000:1

>20000:1

讀出噪聲

<3 e-

4e-

增益

>1000:1

N/A

門控寬度

<1 ms @ 1kHz

N/A

芯片制冷溫度

-20 ℃

曝光時間(單幀)

長可達30分鐘

長可達1分鐘

相機接口

千兆以太網(wǎng)

 

Li-6熒光屏來自于scintacor

特征

物理性質(zhì)

屏幕類型

ND

磷光體類型

混合顆粒

發(fā)光顏色

藍色

峰值波長

450nm

衰減10%

3.5μs

余輝拖尾

低階

X射線吸收

極低

紫外光吸收

寬帶

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