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真空MCP探測(cè)器的電壓配置

真空MCP探測(cè)器的電壓配置以及門控MCP每一級(jí)需要約1kV的高壓；熒光屏相對(duì)與MCP輸出面需要約5kV的高壓以使電子具備較高的能量有效激發(fā)熒光；陽(yáng)板通常則相對(duì)于MCP輸出處在200V左右的高電位。真空MCP探測(cè)器的電壓配置簡(jiǎn)介如圖10所示的一個(gè)典型的MCP影像探測(cè)器（采用熒光屏輸出），各間相對(duì)電壓的幅度一般為：Vout=Vin+2000V;Vscreen=Vout+5000V=Vin+7000V圖10一個(gè)典型MCP探測(cè)器的電壓配置當(dāng)探測(cè)的粒子為電中性（如光子）時(shí)，比較方便的是...

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MCP真空探測(cè)器的信號(hào)拾取及讀出

一、MCP真空探測(cè)器的信號(hào)拾取及讀出微通道板本身只是對(duì)電子進(jìn)行倍增放大的器件，它吸收輸入的帶電粒子或光子，輸出倍增以后的電流（電子云）。為獲取實(shí)驗(yàn)結(jié)果，需要將輸出的電子經(jīng)過(guò)拾取或轉(zhuǎn)換后，形成能夠拍攝、記錄或計(jì)數(shù)的信號(hào)。因此，對(duì)于一個(gè)特定目的的MCP真空探測(cè)器，信號(hào)拾取和讀出是非常重要的部分。通常會(huì)需要一個(gè)陽(yáng)用來(lái)拾取電子云信號(hào)，陽(yáng)與MCP輸出端之間有一定間距并加有高壓。一般而言有幾種類型的陽(yáng)：l熒光屏：受高能電子轟擊后會(huì)發(fā)光，從而形成可見(jiàn)光的圖像；l金屬導(dǎo)電陽(yáng)：直接拾取電流，用...

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MCP探測(cè)器的優(yōu)勢(shì)

MCP探測(cè)器的優(yōu)勢(shì)l高速度：電子在微通道板內(nèi)的渡越時(shí)間為百皮秒量級(jí)，而渡越時(shí)間的抖動(dòng)更是遠(yuǎn)小于納秒。和PMT類探測(cè)器相比，MCP探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間快1～2個(gè)數(shù)量級(jí)；而固體（半導(dǎo)體）探測(cè)器要達(dá)到亞納秒的響應(yīng)時(shí)間，其管芯尺度會(huì)非常小。l低噪聲/高靈敏度：在1cm2面積上，每秒鐘只有2-3個(gè)暗計(jì)數(shù)；而高增益使得探測(cè)器輸出足夠大的電流/發(fā)光，足可克服后續(xù)收集系統(tǒng)的本地噪聲。l抗干擾：相對(duì)于PMT，MCP受磁場(chǎng)的影響非常小，通常不需要磁屏蔽。l靈活性：MCP是二維電子放大器件，通過(guò)不同的...

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微通道板的響應(yīng)范圍

MCP的響應(yīng)范圍用于真空的MCP一般直接面向待測(cè)射線，或在輸入面有特殊鍍膜以擴(kuò)展響應(yīng)范圍。典型的響應(yīng)范圍如圖3。圖3MCP的響應(yīng)范圍對(duì)于約5eV-1.2keV的光子和帶電粒子，的MCP有很好的響應(yīng)；可以通過(guò)鍍膜來(lái)擴(kuò)展響應(yīng)波長(zhǎng)。微通道板的響應(yīng)范圍因?yàn)镸CP的原理是微通道內(nèi)二次電子的激發(fā)和倍增，所以MCP對(duì)一般的中性粒子響應(yīng)不好（但MCP對(duì)MeV的中子可以響應(yīng)）。探測(cè)中性粒子時(shí)，可以使其帶電，或者用閃爍體轉(zhuǎn)換為光子。的MCP幾乎不響應(yīng)可見(jiàn)光，這在某些實(shí)驗(yàn)環(huán)境（如激光產(chǎn)生X射線）是...

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MCP的主要特性和參數(shù)

MCP的主要特性和參數(shù)l孔徑(poresize)與孔間距(pitch)：通常MCP的孔徑在10um量級(jí)，而孔間距則比孔徑略大。孔間距越小，空間分辨率越高（通常MCP類探測(cè)器的空間分辨率主要限制因素不是MCP孔間距）?？组g距和孔徑確定了MCP探測(cè)面的占空比。如10-12（孔徑10um，間距12um）的MCP占空比為63%。一般而言小口徑(75mm有效探測(cè)面）MCP的孔徑也交大。l縱橫比(aspectratio)：縱橫比是MCP的一個(gè)重要參數(shù)，它是指MCP微通道孔長(zhǎng)度和孔徑的比。...

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